Детектор металла схема на транзисторах

детектор металла схема на транзисторах
Такое обилие, по сравнению с предыдущими конструкциями, транзисторов позволило добиться сравнительно высокой чувствительности, стабильности в работе и четкой различимости чёрных и цветных металлов. Доступность технологии дала свои плоды — мир начал стремительно меняться. И все-таки он работает! Если в контур возвращается достаточное количество энергии, то возникнет генерация. Упрощённая сигнализация дает возможность больше сосредоточить своё внимание на местности поиска. К недостаткам предлагаемого устройства относятся: медленный дрейф частоты поискового генератора, что свойственно металлоискателям этого класса. Однако несмотря на то, что полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля и по физике проще биполярных, создать работоспособный образец долго не удавалось.


Оригинал: CMOS, the Ideal Logic Family, Fairchild Semiconductor. Ранние КМОП-схемы были очень уязвимы к электростатическим разрядам. Прежде всего в полосках делают 64 разреза, как показано на рис. 15.3, и высверливают три установочных отверстия. Роль управляющего затвора выполнял p-n переход. А еще через несколько лет удалось-таки найти подходящие материалы, чтобы в точности реализовать идею Лилиенфельда. К большой радости технологов это оказались… кремний и двуокись кремния. Канал существует в легированном полупроводнике в промежутке между затвором и нелегированной подложкой, в которой нет носителей заряда, и она не может проводить ток.

Потребляемый ток при напряжении питания 12 вольт составляет 20 мА. Рис. 3. Схема кварцевого генератора. Принцип работы металлоискателя сводится к тому, что при приближении металлического предмета к катушке индуктивности генератора — основного узла прибора — частота генератора изменяется. Вторая катушка металлоискателя принимает обратные сигналы и сообщает про находку при помощи тонального сигнализатора. Главное, чтобы он не прогибался под собственным весом, т. е. был доста­точно жестким. Барьер станет еще больше, и практически никакого тока через p-n переход не пойдет. А вот если поменять полярность, носители с обеих сторон будут легко проникать через p-n переход. Вместо металлического слоя над основным полупроводником он использовал сильно легированный (с большим количеством примесей) полупроводник противоположного типа.

Похожие записи: